上海华虹宏力申请半导体器件形成方法专利,节省了形成N阱和N型
金融界2025年1月31日消息,国家知识产权局信息显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利,公开号CN 119384033 A,申请日期为2024年10月。 专利摘要显示,本发明提供一种半导体器件的形成方法,包括:提供衬底;执行第一有源区的P阱离子注入;在第一有源区的衬底上形成第一栅极层;在第二有源区的衬底上形成第二栅极层;执行无掩膜N型漏极轻掺杂离子注入;同一光罩下执行第二有源区的N阱离子注入和P型漏极轻掺杂离子注入。在低成本、高性价比平台加工,将N阱离...